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未固化特性 |
检测说明 |
检测方法 |
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密度 3.5g/cc
填充剂 银
粘性@ 25℃ 8000cps
触变指数 5.6
使用寿命@ 25℃ 18小时
保存时间@ -40℃ 1年 |
比重瓶
Brookfield CP51@5rpm
粘性@0.5/粘性@5rpm
%填充剂物理使用寿命 |
PT-1
PT-42
PT-61
PT-12
PT-13 |
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固化处理数据 | ||
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建议固化条件 1小时@ 175℃
或者（1） 3-5℃/分升温到175℃+1小时@175℃
这种升温固化降低结合面温度，让溶剂挥发并增加强度。 | ||
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固化重量损失 5.3% |
载玻片上10×10mm 硅芯片 |
PT-80 |
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固化前物理化学特性 |
检测说明 |
检测方法 |
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离子型表面活性剂 氯化物 5ppm
钠 3ppm
钾 1ppm
抽水传导性 13mmhos/cm
pH 6
重量损失@300℃ 0.35%
玻璃转化温度 120℃
热膨胀系数
低于Tg 40 ppm/℃
高于Tg 150 ppm/℃
动态拉伸模量
@-65℃ 4380Mpa
（640Kpsi）
@25℃ 3940Mpa
（570Kpsi）
@150℃ 1960Mpa
（280Kpsi）
@250℃ 300Mpa
（44Kpsi）
吸湿率
@饱和 0.6% |
特氟纶烧瓶
5 gm 样品/20-40筛网
5 gm DI水
保持100℃ 24小时
热解重量分析
TMA渗透模式
TMA 膨胀模式
动力热解分析
使用
<0.5mm厚度的样品
动态蒸发吸附作用
85℃/85% RH曝光以后 |
CT-13
CT-6 CT-7
PT-20
MT-14
MT-9
MT-12
PT-65 |
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固化后电热特性 |
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导热性 2.5W/m。K
@121℃
体积电阻率 0.0001 ohm-cm |
C-MATIC 导电检测器
4点探测 |
PT-40
PT-46 |
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固化后机械特性 |
检测说明 |
检测 方法 |
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芯片剪切强度 @25℃ 19kg/die
芯片剪切强度和温度
@25℃ @200℃ @250℃
21kg/die 2.9kg/die 1.7kg/die
11kg/die 2.6kg/die 1.4kg/die
27kg/die 2.4kg/die 2.0kg/die
85℃/85% RH曝光168小时以后芯片剪切强度
@25℃ @200℃
12kg/die 1.8kg/die
10kg/die 2.5kg/die
23kg/die 1.8kg/die
芯片热变形@25℃与芯片大小
芯片尺寸 热变形
7.6×7.6mm（300×300mil） 19mm
10.2×10.2mm（400×400mil） 32mm
12.7×12.7mm（500×500mil） 51mm
碎片热变形与固化后电热处理2
固化后 +丝焊 +铸型烘焙后
（1分钟@250℃） （4小时@175℃）
20mm 29mm 28mm
22mm 30mm 28mm
数据由改变升温处理条件获得。 |
2×2mm（80×80mil）硅芯片
3×3mm（120×120mil）硅芯片
基材
银/铜引线框架
裸铜引线框架
钯/镍/铜引线框架
3×3mm（120×120mil）硅芯片
基材
银/铜引线框架
裸铜引线框架
钯/镍/铜引线框架
0.38 mm（15mil）厚的硅芯片
在0.2mm厚的银/铜引线框架上
7.6×7.6×0.38mm（300×300×15mil）硅芯片
在0.2mm（8 mil）厚的LF上
基材
银/铜引线框架
裸铜引线框架 |
MT-4
MT-4
MT-4
MT-15
MT-15 |
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